[11p-PB3-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11p-PB3-19] 基底状態酸素原子を用いた化学気相堆積法によるシリコン酸化膜の窒化物半導体応用

〇馬場 真人¹、垣内 佑斗¹、岡田 浩¹、古川 雅一²、山根 啓輔¹、関口 寛人¹、若原 昭浩¹ (1.豊技大、2.アリエースリサーチ)

キーワード：窒化物半導体、シリコン酸化膜、CVD