[12p-M113-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[12p-M113-7] CWレーザーアニール法によるガラス上でのGeおよびGeSn薄膜結晶成長

〇松村 亮¹、ジェバスワン ウィパコーン¹、深田 直樹¹ (1.物材機構・MANA)

キーワード：半導体、Ge、GeSn

薄膜トランジスタや三次元LSIへの応用を目指し、CWレーザーアニール法を用いたガラス基板上でのGe, GeSn薄膜の結晶成長を検討した。熱処理後の試料の結晶性をラマン分光法で評価したところ、GeSn膜では結晶性がLA条件依存性を示したのに対し、Ge膜では照射エネルギーに関わらず一様に良好な結晶性を示した。これは結晶成長の過程がGeSnとGeで違う事に起因していると我々は考えている。詳細な物理は当日議論する。