[12p-M113-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

[12p-M113-8] Preventing formation of twins in Ge(111) thin film growth on c-plane sapphire substrate

〇(B)Ko Miyazaki¹, Fumiyasu Ohtake², Takeru Okada², Tomoyuki Kawashima², Katsuyoshi Washio² (1.Sch.Eng.,Tohoku Univ., 2.Grad.Sch.Eng.,Tohoku Univ.)

Keywords:Germanium, c-plane sapphire, crystal growth

c面サファイア(α-Al₂O₃(001))基板上にGeを菱面体的に配置したGe(111)薄膜成長を検討し、低温成長と高温成長を組み合わせる二段階成長が結晶配向性の改善に有効であることを報告した。しかし、一層の結晶性向上には双晶形成の抑制が必要である。本研究では、二段階成長において原子層バッファを用いた場合のGe(111)薄膜の配向性を検討した。