16:00 〜 16:15 [10p-Z09-13] TCADシミュレーションにおけるAl2O3/GeO2/Ge pMOSFETのゲート絶縁膜に存在する酸素空孔によるBTI特性の影響 〇川島 舜1、柯 夢南1、河原 尊之1 (1.理科大工)