11:00 〜 11:15 [11a-Z23-8] シリコンキャップアニールを行った4H-SiC表面の電気伝導機構の解析 〇花房 宏明1、東堂 大地2、東 清一郎1 (1.広島大先進理工、2.広島大先端研)