Ferroelectric Properties of Hafnium-Zirconium-Dioxide Prepared by Chemical Solution Process for MFM and MFS Structures

Mohit Mohit; Eisuke Tokumitsu

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CS コードシェアセッション » 【CS.5】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[10a-Z24-1~12] 【CS.5】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

2020年9月10日(木) 08:45 〜 12:00 Z24

藤沢浩訓(兵庫県立大)、藤井章輔(キオクシア)

10:00 〜 10:15

▼ [10a-Z24-6] Ferroelectric Properties of Hafnium-Zirconium-Dioxide Prepared by Chemical Solution Process for MFM and MFS Structures

〇(D)Mohit Mohit¹、Eisuke Tokumitsu¹ (1.School of Materials Science, JAIST)

キーワード：Hafnium Zirconium Dioxide, Chemical Solution Process, Ferroelectric FET

Y-HZO thin films were fabricated by CSD and electrical properties of MFM and MFS structures were characterized. Vacuum annealed Y-HZO film showed better ferroelectricity than N₂ and O₂ annealed samples.