[10p-Z02-1~22] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [10p-Z02-6] MgOを利用したハライド気相成長法によるp型GaNの作製

〇(D)大西 一生¹、天野 裕己¹、藤元 直樹²、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大ARC、4.名大VBL)

キーワード：ハライド気相成長, p型GaN

ハライド気相成長（HVPE）法によるp-nダイオード等の縦型GaNパワーデバイスの作製に向けて, p型GaNの作製が必要である. しかし, HVPE法によるp型GaNの作製技術は未確立である. 本研究では, Mgドーピング原料としてMgOに着目し, GaNへのMgドーピングを行った. MgがドーピングされたGaNのHall効果測定を行ったところ, p型伝導を示し, その活性化エネルギーはMgの活性化エネルギーと同程度であった.