[10p-Z04-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10p-Z04-3] 選択成長法を用いたGaN FinFETの作製:リーク電流抑制の改良

〇高山 研¹、太田 貴士¹、佐々木 満孝¹、向井 勇人¹、濱田 拓也¹、高橋 言雄²、井出 利英²、清水 三聡²、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、筒井 一生¹ (1.東工大工、2.産総研)

キーワード：窒化物, FinFET, パワーデバイス