[10p-Z10-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10p-Z10-5] タングステン成膜後のフラッシュランプアニール（FLA）によるフッ素拡散抑制技術

〇繁桝 翔伍¹、谷村 英昭¹、河原﨑 光¹、加藤 慎一¹、野崎 仁秀¹ (1.SCREENｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰｿﾘｭｰｼｮﾝｽﾞ)

キーワード：フラッシュランプアニール, タングステン

タングステン(W)はその抵抗率の低さ、ステップカバレッジの良好さからプラグ材料として利用されている。W膜成膜にはWF₆が使用され、成膜後の低抵抗化のための熱処理にて拡散したF原子が、下層のTiと反応することに起因するVolcano現象を引き起こすことが報告されている。そこで本研究では、W成膜後の熱処理にフラッシュランプアニール（FLA）を利用することでF原子の拡散抑制効果を検証した。