[8p-Z05-1~20] 6.2 カーボン系薄膜

△ [8p-Z05-1] トレンチゲート構造による縦型2DHGダイヤモンドMOSFETの大電流密度(~20 kA/cm²)、低オン抵抗化(2.5 mΩ･cm²)の達成

〇(B)太田 康介¹、角田 隼¹、岩瀧 雅幸¹、堀川 清貴¹、天野 勝太郎¹、新倉 直弥¹、平岩 篤¹、川原田 洋^1,2 (1.早大理工、2.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド, MOSFET, 縦型

我々はC-H終端構造及び高温ALD-Al₂O₃により面方位に依存せず誘起される2次元正孔ガス(2DHG)を用いた縦型2DHGダイヤモンドMOSFETを報告し、高いドレイン電流密度と優れたon/off比を実現してきた。本研究では、ゲート電極をトレンチ内部に埋め込んだトレンチゲート構造の導入およびトレンチ幅の縮小によるデバイスの微細化、そして2DHG誘起のためのアンドープトレンチエピタキシャル成長層の膜厚増加により、20 kA/cm²を超える高いオン電流と2 mΩ・cm²台の低いオン抵抗を達成した。