[9p-Z01-1~18] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[9p-Z01-15] AlSb/GaSbバッファがGaInSb HEMTの電気的特性に与える影響

〇林 拓也¹、平岡 瑞穂¹、大金 剛毅¹、國澤 宗真¹、岸本 尚之¹、渡邊 一世²、山下 良美²、原 紳介²、町田 龍人²、笠松 章史²、遠藤 聡¹、藤代 博記¹ (1.東理大基礎工、2.情報通信研究機構)

キーワード：高電子移動度トランジスタ, 半導体, 結晶成長

電子の有効質量が軽くかつ電子移動度が高いSb系高電子移動度トランジスタはTHz領域で動作可能な高周波・低消費電力デバイスとして期待されている。しかし、Sb系HEMTにおいては格子整合する適当な基板が存在しないため、GaAs基板を用いることが多い。それにより転位が発生し、転位が電子の散乱源となって電気的特性の低下につながる。そこで、AlSb/GaSbバッファ層およびグレイデッドバッファ層をHEMT構造に導入し最適なバッファ構造を検討した。