10:15 〜 10:30 [12a-A202-2] Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体におけるWETプロセスを利用した原子層エッチングのメカニズム解明 〇平野 智暉1、西尾 賢哉1、深谷 天1、齋藤 卓1、萩本 賢哉1、岩元 勇人1 (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ)