16:00 〜 18:00 [13p-PA9-5] Al2O3/AlGaN/GaN MIS構造の電気的特性におけるAl2O3成膜プロセスの影響 〇(M2)東 雅人1、上沼 睦典1、吉嗣 晃治2、柳生 栄治2、石河 泰明1、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.三菱電機(株))