15:45 〜 16:00 [12p-A403-10] MoOx CSC/Si太陽電池のPDAによる特性変動 (3)-表面反転層をチャネルとするFET-TEGのS/Dコンダクタンスによる評価(1)- 〇林 豊1、神岡 武文2,1、後藤 和泰3、尾崎 亮1、中村 京太郎1、森村 元勇1、宇佐美 徳隆3、大下 祥雄1、小椋 厚志2 (1.豊田工大、2.明治大、3.名古屋大)