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[13p-A302-3] p-n ダイオードの貫通転位を介したリーク電流に対する1次元 hopping 伝導モデルの構築
キーワード:窒化ガリウム、リーク電流、転位
パワー半導体デバイスの信頼性評価にはリーク電流の流れる微視的機構の理解が重要である。本研究では、貫通転位が存在するp-nダイオードに対して、1次元hopping伝導モデルを構築する。講演では第一原理計算から得られている結果とモデルの対応およびモデル導出について説明する。また、そのモデルを用いた数値計算の結果を実験と比較し、モデルの妥当性について議論する。