[13p-A302-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [13p-A302-6] Si基板上GaN成長におけるピットの分類と構造解析

〇岡本 和也¹、曽我 拓実²、出浦 桃子¹、依田 孝^3,5、高橋 英志³、家近 泰³、宮野 清孝³、津久井 雅之³、百瀬 健¹、杉山 正和⁴、霜垣 幸浩¹ (1.東大院工、2.東大工、3.ニューフレアテクノロジー、4.東大先端研、5.東工大未来研)

キーワード：GaN、Si基板、ピット

Si基板上のGaN成長において表面に生じるピットは，リーク電流の原因となるため抑制が求められる．ピットはGaN表面での方位や形状から2種類に大別されることが分かった．それぞれのピットをFIB加工により詳細に断面観察したところ，生成機構は両者でほぼ同様であった．一方，ピット側面の角度や，成長にともなうサイズ変化には違いが見られたことから，発達機構が異なると考えられる．