[13p-PA5-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[13p-PA5-11] GaAs基板上Sb系HEMTにおけるGaSbバッファを用いた低転位化

〇大金 剛毅¹、平岡 瑞穂¹、林 拓也¹、國澤 宗真¹、渡邊 一世^2,1、山下 良美²、原 紳介²、町田 龍人²、笠松 章史²、遠藤 聡¹、藤代 博記¹ (1.東理大基礎工、2.情報通信研究機構)

キーワード：高電子移動度トランジスタ、半導体、分子線エピタキシー

高速化・低雑音化に優れるHEMTのチャネル材料としてGaInSbが報告されている。しかしながら、課題として電子移動度(μ)が小さいことが挙げられ、μが小さい原因の一つとして、AlSbとGaAsの界面においてⅤ族・Ⅲ族同士のintermixingが起こり、格子欠陥により発生した多くの貫通転位がチャネルに伝播していることが考えられる。本研究ではバッファとして用いるAlSbとGaAsの界面における貫通転位の低減を目的としてGaSb バッファを導入し、積層する材料を変化させ界面における材料のintermixingを改善することで、貫通転位の発生およびチャネル層への伝播を低減し、μの向上に優位であることが示唆された。