[13p-PA5-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[13p-PA5-12] InAs/GaSb超格子のV族混晶化の成長中断時間による制御

〇今村 優希¹、大濱 寛仁¹、前田 幸治¹、荒井 昌和¹ (1.宮大工)

キーワード：有機金属気相成長法(MOVPE)、InAs/GaSb超格子

本研究ではType-II型のヘテロ構造となるInAs/GaSb超格子の有機金属気相成長法(MOVPE)による光デバイスの実現を目指している。前回、InAs/GaSb超格子の歪量の膜厚依存性から成長時にガス切り替えの際にV族の混晶化が起こっていることを報告した。今回は成長中断の影響を調べたので報告する。