[13p-PB1-1~29] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-PB1-24] 自由エネルギー表式を用いたGaN(0001)基板上におけるInGaN薄膜の成長様式に関する理論的解析

〇永井 勝也¹、秋山 亨¹、プラディプト アブドルムィッツ¹、中村 浩次¹、伊藤 智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：InGaN、成長様式、自由エネルギー