[14p-A405-1~15] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

△ [14p-A405-3] X線非弾性散乱法によるBulk SiGe単結晶フォノン分散曲線の測定

〇横川 凌^1,2、竹内 悠希¹、荒井 康智³、米永 一郎⁴、内山 裕士⁵、小椋 厚志^1,6 (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.JAXA、4.東北大学、5.JASRI、6.再生可能エネルギー研究インスティテュート)

キーワード：X線非弾性散乱、SiGe、フォノン分散

SiGe混晶材料は、電子デバイスの特性向上はもとより熱電素子などへの幅広い応用が期待され、その材料特性を司る指標の一つにフォノン分散が挙げられる。半導体中の熱伝導はフォノン散乱が強く関わるため、その詳細な理解が必須であるものの、SiGeはBulk SiやGe結晶と異なりその散乱機構は複雑で、分散測定例が乏しい。そこで本研究では、幅広いGe濃度のBulk SiGe単結晶を用意し、meV分解能でフォノンスペクトルが観測可能なX線非弾性散乱法を用いてSiGeのフォノン物性を明らかにすることを目的とし、フォノン分散曲線を取得することに成功したので報告する。