[14p-B401-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14p-B401-3] スパッタ法により成膜したn+GaNのトレンチMOSFETソース領域への適用検討

〇石田 崇^1,2,3、篠崎 哲也⁴、白井 雅紀⁴、高澤 悟⁴、須田 淳^1,3、加地 徹¹ (1.名大未来研、2.トヨタ自動車、3.名大院工、4.アルバック)

キーワード：窒化物、MOSFET、オン抵抗

縦型GaNトレンチMOSFETの低オン抵抗化を実現するためには、ソース領域のコンタクト抵抗とシート抵抗の低減が必要である。従来、ソース領域形成方法としては、エピ成長やイオン注入が用いられているが、エピ成長ではソース領域下のp-GaNの脱水素が難しいこと、イオン注入では下地のp-GaNへの注入ダメージが問題となり得る。そこで我々は上記問題を解決すべく、スパッタ法によるソース領域形成を検討したのでその進捗を報告する。