[15p-A201-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-A201-3] 4H-SiC/SiO₂界面での酸化反応におけるウェット酸化種の影響に関する理論的検討

〇清水 紀志¹、秋山 亨¹、プラディプト アブダルムィッツ¹、中村 浩次¹、伊藤 智徳¹、影島 博之²、植松 真司³、白石 賢二⁴ (1.三重大院工、2.島根大院理工、3.慶応大理工、4.名大未来研)

キーワード：4H-SiC/SiO2、界面、第一原理計算

SiCは熱酸化によりSiO₂絶縁膜が得られ電子デバイスへ適用可能な材料であることから注目を集めている一方、SiC/SiO₂界面では大量の欠陥が形成することが知られている。近年、ドライおよびウェット酸化を同時に扱うことで界面の電気的特性の制御が可能であるという報告がされている。本研究では、第一原理計算を用いてドライおよびウェット酸化種が4H-SiC/SiO₂界面上に共存している場合での界面構造の変化を明らかにし、ドライおよびウェット酸化との相違点について議論する。