GRIN-SCH構造 を用いた AlGaN系 UV-Bレーザダイオード

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[15p-A302-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2020年3月15日(日) 13:45 〜 17:00 A302 (6-302)

岡田成仁(山口大)、室谷英彰(徳山高専)

16:15 〜 16:30

〇(M1)田中隼也¹、佐藤恒輔^1,2、安江信次¹、荻野雄矢¹、山田和輝¹、石塚彩花¹、川瀬雄太¹、手良村昌平¹、岩山章^1,3、岩谷素顕¹、竹内哲也¹、上山智¹、赤﨑勇^1,4、三宅秀人³ (1.名城大・理工、2.旭化成㈱、3.三重大・院・地域イノべ、4.名古屋大・赤﨑記念研究センター)

キーワード：半導体、UV-B、AlGaN