[10p-N202-1~19] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [10p-N202-8] 無歪GeSn(Sn 9%)のバンドPL端発光

〇松永 靜流¹、横川 凌^1,2、佐竹 雄太¹、小笠原 凱¹、志村 洋介^3,4、Roger Loo⁵、Anurag Vohra^5,6、小椋 厚志^1,2 (1.明治大理工、2.明治大MREL、3.静大院工、4.静大電研、5.imec、6.K. U. Leuven)

キーワード：GeSn、フォトルミネッセンス、バンド端発光

GeはSn添加や引張歪印加により直接遷移型半導体に変調され、発光効率向上を望めることから近赤外帯域での受発光材料として期待され、直接遷移化に必要なSn組成が研究されている。しかし、多くは歪印加GeSnを用いているため、Snのみならず歪の影響が重畳されている。我々は歪の効果とSnの影響を分離して議論するため無歪GeSnを用意した。本報告ではSn 9%の無歪GeSnのバンド端発光の振る舞いを検討する。