[10p-N302-1~15] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10p-N302-1] 高移動度薄膜トランジスタ作製に向けたCWレーザーアニール法による非晶質基板上Si薄膜の(100)面配向結晶化

〇高山 智之¹、佐々木 伸夫^1,2、Muhamad Arif¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.Sasaki Consulting)

キーワード：レーザー結晶化