[10p-N302-1~15] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [10p-N302-14] 顕微フォトリフレクタンス分光法を用いたSi深掘り孔側壁に形成されるプラズマ誘起欠陥層の電子状態解析

〇濱野 誉^1,2、占部 継一郎¹、江利口 浩二¹ (1.京大院工、2.学振特別研究員DC)

キーワード：プラズマ誘起欠陥、シリコン深掘り孔、電子状態解析

近年デバイス構造の3次元立体化に伴い，複雑な3次元構造作製過程におけるプラズマ誘起欠陥形成が懸念されている．計算科学により3次元特有の欠陥形成機構が予測される一方，微細構造体内部の局所領域における電子状態変化の同定は難しい．本研究では非接触，高感度な光学的欠陥解析手法である顕微フォトリフレクタンス分光法を応用して，Si深掘り孔側壁に形成される欠陥層の電子状態を詳細に解析した．