[10p-N302-1~15] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10p-N302-2] (100)配向Grain-Boundary-Free Si薄膜のレーザ結晶化機構

〇佐々木 伸夫^1,2、Arif Muhammad²、高山 智之²、浦岡 行治² (1.Sasaki Consulting、2.奈良先端大)

キーワード：レーザ結晶化、結晶方位、固液界面

CWレーザ結晶化における(100)配向Grain-Boundary-Free Si薄膜の結晶成長機構を固液界面の微細構造と等温度面から固液界面に加わる偶力によって説明する。