[10p-N304-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[10p-N304-2] 酸性水溶液による酸化ジルコニウムのエッチング挙動

〇根本 悠平¹、平川 雅章²、池上 友佳子² (1.芝浦メカトロニクス、2.東芝 生産技術センター)

キーワード：半導体、酸化ジルコニウム、ウェットエッチング

ゲート絶縁膜の新規絶縁材料として，高誘電率(High-k)膜の研究がされており，シリコン酸化膜(SiO2)との高い選択比が要求されている．しかし，酸化ジルコニウム(ZrO2)のゲートプロセスにおいて，リン酸によるウェットエッチングに関する報告が殆どされていない．そこで、リン酸と半導体製造工程で主に用いられる酸性水溶液に対するZrO2のエッチング挙動について，評価した結果，他の酸性水溶液と比較して，コロイダルシリカを添加したリン酸でZrO2とSiO2のエッチング選択性の優位性を示すことが出来た．