[10p-N304-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[10p-N304-4] 水分子が吸着したGeO₂膜を持つMOS構造の電気特性測定手法の開発

〇有馬 健太¹、和田 陽平¹、佐野 修斗¹、川合 健太郎¹、山村 和也¹ (1.阪大院工)

キーワード：半導体表面、水分子吸着、MOS 構造

我々は、熱酸化後のGeO₂/Ge構造を高真空中に導入し、一定の水蒸気雰囲気に曝露した後に、大気に取り出すことなく、電極の形成とMOS構造の電気特性測定が可能な、反応チャンバー一体型の測定装置の開発を進めている。今回は、熱酸化後に300℃の真空加熱を施し、Au電極を形成したMOS構造と、電極形成前に水蒸気雰囲気下に暴露した試料を準備し、得られた容量－電圧特性の違いについて考察した。