[10p-S202-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[10p-S202-10] Vドープ4H-SiC単結晶薄膜の半絶縁性に対する不純物の影響

〇児島 一聡¹、佐藤 真一郎²、大島 武²、黒木 伸一郎³、山口 浩¹ (1.産総研、2.量研、3.広島大学)

キーワード：炭化珪素、半絶縁性、不純物

本研究では4H-SiC CMOS構造あるは層間絶縁膜へのVバナジウム（V）ドープ半絶縁性エピタキシャル層の適応を念頭に置いて、Vがトラップするドナーあるいはアクセプターに注目、ｎ型ベースにＶをドーピングした場合とｐ型ベースにＶをドーピングした場合の半絶縁性の違いを調べた。その結果、p型ベースよりもｎ型ベースの方が高い半絶縁性が発現しやすいことが判った。