[10p-S202-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[10p-S202-13] 4H-SiCウエハエッチングにおけるClF₃ガス分散構造の設計と検証

〇林 優也¹、羽深 等¹、高橋 至直²、加藤 智久³ (1.横国大院理工、2.関東電化工業、3.産総研)

キーワード：4H-SiC、エッチング、三フッ化塩素ガス

電力制御用半導体素子に利用されているSiC結晶は極めて硬いことから、化学反応により高速で均一にエッチングする技術が望まれる。我々は、前報においてClF₃ガスによるエッチング速度の分布が全体と局所のガス流れに依存することを示すと共に、SiCウエハ全体を素早くエッチングできる装置の設計を提案した。本研究においては、極めて均一なエッチング速度分布を実現し得るガス分散盤を設計・製作し、検証したので、その詳細を報告する。