[11p-N305-1~10] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[11p-N305-1] Investigation of leakage current and threshold voltage instability in NO nitrided 4H-SiC(11-20) MOS devices

〇Takato Nakanuma¹, Yu Iwakata¹, Takuma Kobayashi¹, Mitsuru Sometani², Mitsuo Okamoto², Akitaka Yoshigoe³, Takuji Hosoi¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ., 2.AIST, 3.JAEA)

Keywords:SiC, MOS capacitors, NO-POA

熱酸化SiO₂/SiC界面特性改善のためにNO窒化処理が広く用いられている。我々は、NO窒化時間を変えたa面SiO₂/SiC構造の走査XPS測定およびMOSキャパシタのC-V特性評価を行い、界面窒素量の増加とともに界面準位密度が低下することを報告した。しかし、窒化のMOSデバイス信頼性への影響は明らかでない。今回、窒化時間を変えたa面MOSキャパシタに対する信頼性（絶縁性およびフラットバンド電圧安定性）の評価を行ったため報告する。