[12a-N206-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12a-N206-7] InGaZnO₄バルク単結晶の硬 X 線光電子分光

〇高橋 裕之介¹、芝田 悟朗¹、大川 万里生¹、保井 晃²、高木 康多²、河村 優介¹、加瀬 直樹¹、宮川 宣明¹、齋藤 智彦¹ (1.東理大理、2.JASRI/SPring-8)

キーワード：IGZO、光電子分光、単結晶

アモルファスIGZO（a-IGZO）を用いた薄膜トランジスタにおける、NBISは安定動作のために超えるべき課題であり、これは価電子帯直上の状態密度(subgap states)に起因すると考えられている。我々はInGaZnO₄バルク単結晶のHX-PESを測定した結果、subgap statesは酸素欠陥に起因せず、結晶性に依存すると結論づけた。