[13a-S201-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13a-S201-8] Mist-CVD法によるTiO_x AlOx,膜におけるバイアス印加の効果

〇(M1)横山 工純¹、アリフザマン ラジブ¹、アブドゥル クドゥス¹、志田 知洋¹、上野 啓司¹、白井 肇¹ (1.埼玉大理工)

キーワード：ミストCVD、メッシュバイアス、ミスト粒子、MIS-FET