10:45 〜 11:00 [19a-Z29-7] シリコン結晶基板の品質と点欠陥(5) 正方形複合体NN, CiOi, NO, O2iの赤外吸収 〇井上 直久1、川又 修一1、奥田 修一1 (1.大阪府大研究推進)