[16a-Z29-1~3] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[16a-Z29-1] 窒化アルミニウムの低温原子層堆積の表面反応モデル

〇(D)齋藤 健太郎^1,2、吉田 一樹^1,2、三浦 正範³、鹿又 健作³、有馬 ボシールアハンマド¹、久保田 繁¹、廣瀬 文彦¹ (1.山形大院理工、2.学振特別研究員DC、3.山形大院有機)

キーワード：原子層堆積法、窒化アルミニウム

窒化アルミニウムは、有機発光ダイオードのガスバリアへの応用が期待される。従来のAlN薄膜の製膜法は化学気相堆積法、原子層堆積法(Atomic Layer Deposition)等であり、これらは300 ℃以上の高温で行われる。AlN薄膜を有機エレクトロニクスデバイスに応用するために、プロセスの低温化が必要である。
本研究ではtrimethylalminiumを原料ガスに、プラズマ励起NH₃を窒化ガスに用いた160 ℃でのAlN-ALDを実現するために、多重内部反射赤外吸収法での表面反応のその場観察を行った。さらに、低温AlN-ALD反応機構についても報告する。