[16p-Z07-1~11] パワーデバイスの最新動向と今後の展望

[16p-Z07-4] 高ゲート酸化膜電界印加時の電子捕獲がSiC MOSFETのV_thに及ぼす影響

〇野口 宗隆¹、小山 皓洋¹、岩松 俊明¹、網城 啓之¹、渡邊 寛¹、三浦 成久¹ (1.三菱電機(株) 先端総研)

キーワード：SiC、MOSFET、PBTI

本研究では、SiC MOSFETにおける高ゲート酸化膜電界印加時のPBTI特性を評価し、ゲート酸化膜中への電子・正孔捕獲過程を分離することで高ゲート酸化膜電界印加時に電子捕獲がSiC MOSFETのしきい値電圧(V_th)に及ぼす影響を解析した。さらに、ゲート通過電荷量(Q_stress)に着目し、電子捕獲による初期V_thからの変化 (ΔV_th,elec)とQ_stressの関係を検討した。その結果、高ゲート酸化膜電界印加時において、Q_stressがΔV_th,elecの判断基準をとなることを見出した。