[17p-P02-1~8] 3.13 半導体光デバイス

[17p-P02-3] 直接貼付InP/SiO₂/Si基板上GaInAsP/GaInAsP SCH-MQWレーザの電界分布特性

〇伊藤 慎吾¹、韓 旭¹、澁川 航大¹、対馬 幸樹¹、石崎 隆浩¹、白井 琢人¹、佐藤 元就¹、阿形 幸二¹、小谷 桃子¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：シリコンフォトニクス、光インターコネクション、光通信

大規模集積回路の高速大容量通信の低消費電力化に向け，シリコンプラットフォーム上における光デバイスの集積が盛んに研究されている．当研究室では，薄膜InPをSiO₂/Siに直接貼り付けをしたInP/SiO₂/Si上にMOVPE法を用いて光デバイスの作製及び集積する手法を提案してきた[1,2]．今回, InP/SiO₂/Si上におけるハイメサ形レーザの電界分布についてシミュレーションを行い，適切な構造を検討した．