[18a-Z17-1~11] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[18a-Z17-11] HC-PECVD成膜されたSiO2薄膜の特性

〇大谷 毅¹、依田 秀彦² (1.光融合技術協会、2.宇都宮大工)

キーワード：ホロカソード、PECVD、SiO2成膜

酸素をプラズマ源とし、TMDSOを前駆体としたHollow Cathode PECVDを用いて高密度SiO2膜を成膜する条件を検討した。成膜時圧力0.5Pa～1.5Paでスパッタ膜と同等の膜密度とみなせる屈折率1.46、Siに対して２％未満の炭素含有率のSiO2膜が得られた。これらの詳細を報告する。