[20a-C200-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-C200-7] ScAlMgO₄基板上GaN薄膜のTHz-TDSEによる非接触・非破壊電気特性評価技術の開発

〇渡邉 迅登¹、王 丁丁¹、黒田 悠弥¹、後藤 直樹¹、藤井 高志^1,3、岩本 敏志³、出浦 桃子²、毛利 真一郎¹、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.R-GIRO、3.PNP)

キーワード：THz-TDSE、窒化ガリウム、ScAlMgO4

窒化ガリウム（GaN）の成長用基板として、ScAlMgO₄（SAM）が注目されている。我々は、RF-MBE法によりSAM基板上に1 µm程度のGaN薄膜をテンプレートとして成長し、さらにmmオーダー厚さのGaNをHVPE成長したGaN自立基板の作製を目指している。しかし、我々の用いるTHz-TDSE装置の時間分解能は約0.01 psであり、約1 µmのGaN層表面とGaN/SAM界面からの反射波の時間差と対応する。そこで今回は、厚さ約1 µmのGaNテンプレートの膜厚や電気特性をTHz-TDSEにより評価可能か検討した。