[20p-A406-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[20p-A406-5] ミニマルAlN反応性スパッタ装置の成膜特性 (3)

〇野田 周一¹、薮田 勇気³、山本 直子³、亀井 龍一郎³、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ、3.誠南工業)

キーワード：ミニマルファブ、AlN、反応性スパッタ

高温ステージ（～400℃）を備えたミニマル反応性スパッタ装置を用いてc軸配向する良好なAlN膜（(002)面ロッキングカーブ（RC）半値幅＜4°)を実現している。しかし、一定期間装置を停止するなどすると、十分なベークアウト、シーズニングにより同等な光学屈折率や多結晶構造（X線回折スペクトル）が再現するにも関わらす、RC半値幅がなかなか回復しない問題が顕在化してきた。この原因について検討した。