[20p-C401-1~16] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[20p-C401-5] pドープ1550nm帯InAs/InGaAlAs量子ドットレーザの温度特性評価

〇矢吹 諒太¹、松本 敦²、勝原 龍海¹、高橋 巧¹、赤羽 浩一²、ヘインサル シーム¹、松島 裕一¹、石川 浩¹、宇高 勝之¹ (1.早稲田大学、2.NICT)

キーワード：量子ドット

我々は低閾値や良好な温度特性といった特徴を持つ量子ドット(QD)レーザにおいて、1550nm帯InAs/InGaAlAs QDレーザにおいて高温安定動作を目的としたpドーピングの効果ついて検討を行ったので報告する。