[20p-P04-1~21] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[20p-P04-1] 4H-SiC CMOS UVイメージセンサ 画素デバイスの200℃高温動作

〇堤 将之¹、目黒 達也¹、武山 昭憲²、大島 武²、田中 保宣³、黒木 伸一郎¹ (1.広島大ナノデバイス、2.量研、3.産総研)

キーワード：シリコンカーバイド、CMOSイメージセンサ、UV フォトダイオード

高温、高放射線などの過酷な環境下での利用を想定した極限環境エレクトロニクスは、様々な領域での活用が期待される。ワイドバンドギャップ半導体であるSiCは優れた高温耐性が期待される。本研究では4H-SiCを用いてCMOSイメージセンサの画素部分を作製し、200℃までの高温動作実験を行った。