[21a-A406-1~8] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[21a-A406-1] Al-Ge合金ペーストのパルスレーザー熱処理によるSi基板上へのSiGe薄膜成長

〇佐藤 剛志¹、宮本 聡¹、鈴木 紹太^2,3、ダムリン マルワン^2,3、宇佐美 徳隆¹ (1.名大院工、2.東洋アルミ、3.阪大院工)

キーワード：パルスレーザーアニール、シリコンゲルマニウム