[21a-C301-1~10] 3.12 半導体光デバイス（旧3.13）

[21a-C301-1] InP(311)B基板を用いた低閾値1.55 um帯量子ドットレーザ

〇松本 敦¹、赤羽 浩一¹、中島 慎也¹、梅沢 俊匡¹、山本 直克¹、菅野 敦史¹ (1.情通機構)

キーワード：量子ドット、半導体レーザ

本稿では、リッジ型QD-LDの特性を改善し、1.55 um帯QD構造の端面出射型ファブリペロレーザにおいて最小クラスの閾値電流9.5mAのCW動作を実証したのでこれを報告する。