[21a-C301-1~10] 3.12 Semiconductor optical devices (formerly 3.13)

[21a-C301-2] 1.3 μm-Wavelength Lasers with Type-II GaInAs/GaAsSb/GaInAs “W”-Quantum Wells on GaAs Sub.

〇Takuma Fuyuki¹, Takashi Go¹, Daisuke Inoue¹, Hiroyuki Yoshinaga¹, Mitsuru Ekawa¹, Takashi Ishizuka¹, Susumu Yoshimoto¹, Peter Ludewig², Ada Baumner², Antje Ruiz Perez², Wolfgang Stolz² (1.Transmission Devices Lab., Sumitomo Electric Industries, Ltd., 2.NAsP III/V GmbH)

Keywords:semiconductor laser, Type-II, GaAsSb

データ通信量の増大等を背景に、1.3 μm帯半導体レーザの高温・高出力動作が望まれている。現行のInP基板上InGaAsP系1.3 μm帯半導体レーザは、バンドオフセットが小さいことによる高温領域での出力低下が課題である。我々は、高バンドオフセット材料の成長が可能なGaAs基板上でかつ、Type-IIの遷移を利用することで長波長化が可能なGaInAs/GaAsSb系に着目し、リッジ型ファブリペロー構造での1.3 μm帯レーザ発振を実現したので報告する。