[21a-C301-1~10] 3.12 半導体光デバイス（旧3.13）

[21a-C301-5] MOVPE法で作製したInAs/GaSb超格子の中赤外領域における広域発光

〇岩切 優人¹、荒井 昌和¹、藤澤 剛²、前田 幸治¹ (1.宮崎大工、2.北大情報科学研)

キーワード：超格子、中赤外発光、フォトルミネッセンス

MOVPE法で作製したInAs/GaSb超格子の広域発光を目的にPLの励起強度を変化させて20Kで実験を行い、計算値と比較を行った。低励起、低キャリア濃度では4.7µmにピークがあり、ミニバンド間の最低のエネルギー準位で遷移した。高励起、高キャリア濃度では2.5µmにショルダーが現れ、これは量子準位のさらに高いエネルギー間の遷移の発光と考えられる。これにより広域発光が確認できた。