[21p-B203-1~20] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [21p-B203-10] 加圧式Optical Floating Zone 法による(InGaO₃)₁(ZnO)₂の大型単結晶育成と性能評価

〇井上 禎人¹、河村 優介¹、加瀬 直樹¹、宮川 宣明¹ (1.東理大理)

キーワード：透明酸化物半導体、単結晶育成、FZ法

(InGaO3)₁(ZnO)_n （IGZO-1n）は空間群が奇数と偶数で異なる。これまでにIGZO大型単結晶の研究は、当研究で加圧条件下でのOptical Floating Zone 法を用いて育成したIGZO-11とIGZO-13の単結晶の報告があるが、IGZO-1n（n = 偶数）はない。本研究では、 IGZO-12の大型単結晶育成とそのバルク物性を報告する。