[22p-A307-1~17] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

△ [22p-A307-12] HfO₂-CeO₂膜の強誘電性の膜厚依存性

〇平井 浩司¹、白石 貴久^1,2、山岡 和希子³、鶴丸 理沙子³、井上 ゆか梨³、舟窪 浩¹ (1.東工大、2.熊本大、3.TDK株式会社)

キーワード：強誘電体薄膜、HfO2基膜

HfO₂基膜は、数nmの極薄膜領域でも強誘電性を維持しCMOSプロセスとの整合性に優れるためメモリデバイス等への応用に期待される強誘電体材料である。しかし、現在広く調査が行われているHfO₂-ZrO₂膜は膜厚の増加に伴う強誘電性の低下が懸念されている。そこで本研究ではHfO₂やZrO₂と同様に蛍石型構造を有し、高対称相である立方晶相をとるCeO₂との固溶体膜を作製し、その強誘電性の膜厚依存性調査したので報告する。