[22p-A307-1~17] CS.7 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

[22p-A307-13] Thermally-induced crystallization and crystal structure of amorphous Hf_1-xZr_xO₂ deposited on Si(001)

〇Keito Takase¹, Ryouta Fujio¹, Manabu Ishimaru¹, Shinji Migita², Noriyuki Uchida² (1.Kyushu Inst Techol, 2.AIST)

Keywords:Ferroelectrics, HfO2

HfO₂とZrO₂の複合酸化物であるHf_1-xZr_xO₂ (HZO)は電界効果トランジスタの新規強誘電体ゲート絶縁膜材料として注目されている。HZOには単斜晶、正方晶、斜方晶の結晶構造が存在し、デバイス性能の向上には結晶構造の制御が必要不可欠である。本研究では、単結晶Si基板上に成膜したアモルファスHZOの結晶化に及ぼす組成および熱処理温度の影響を薄膜X線回折法と透過電子顕微鏡法により調査した。